未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
80V/3,4mΩ/100A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
170A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85V 170A Donghai_DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
100V/1,7mΩ/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 TO-220C 100 V 240A Donghai_DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
50A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Špecifikácia zariadenia DH50N15.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85V 180A Zariadenie+DSG041N08NA+Špecifikácia+Rev.1.0.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Špecifikácia zariadenia 25N10.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40 V 120A Donghai+DHS021N04D+DataSheet+V3.0.pdf
120A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Zariadenie DH033N04 Špecifikácia.pdf
160A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Špecifikácia zariadenia DH020N03P.pdf
15A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Špecifikácia zariadenia DH850N10.pdf
85 V/0,9 mΩ/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A TOLL 85V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
90A 150V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Špecifikácia zariadenia DHS110N15 Rev.1.0.pdf
47A 100V režim N-channel Enhancement Mode Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Špecifikácia zariadenia DHS180N10L.pdf
21A 650V N-channel Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
60A 20V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS400N10LD / DHS400N10LB / DHS400N10L
80A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Zariadenie+DATD063N06N+Špecifikácia Rev.1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com