Деревянные двери(1)(8) (1)
ворота
Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор » 12В-300В Н МОП
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

12 В-300 В Н МОП

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
ДСЕ022Н10Н3 ТО-263 ДСЕ022Н10Н3
80 В/3,4 мОм/100 А N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 ДСП037N08N3 ДФН5*6-8 80В 100А Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
50 А, 150 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH50N15 TO-220C ДХ50Н15 ТО-220С 150 В 50А Спецификация устройства DH50N15.pdf
170 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DSP032N08NA DFN5X6 ДСП032Н08НА DFN5X6 85В 170А Donghai_DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
100 В/1,7 мОм/240 А N-МОП-транзистор DSG024N10N3 TO-220C ДСГ024Н10Н3 ТО-220С 100В 240А Donghai_DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-МОП-транзистор DSE108N20NA TO-263 ДСЕ108Н20НА ТО-263 200В 110А Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA ТО-220C DSG041N08NA ТО-220С 85В 180А Устройство+DSG041N08NA+Спецификация+Ред.1.0.pdf
25 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор D25N10 TO-252B Д25Н10 ТО-252Б 100В 25А Спецификация устройства 25Н10.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS021N04D TO-252B DHS021N04D ТО-252Б 40В 120А Дунхай+DHS021N04D+Информация+V3.0.pdf
120 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH033N04 TO-220C ДХ033N04 ТО-220С 40В 120А Спецификация устройства DH033N04.pdf
160 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH020N03P 5x6-8 ДХ020Н03П DFN5X6 30В 160А Спецификация устройства DH020N03P.pdf
180 А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ТО-220С 40В 180А Дунхай+DHS021N04&DHS021N04E+Информация+V3.0.pdf
85 В/0,9 мОм/360 А N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL ДСУ011Н08Н3А ПОТЕРИ 85В 360А Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
15А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH850N10B TO-251B ДХ850Н10Б ТО-251Б 100В 15А Спецификация устройства DH850N10.pdf
90 А, 150 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS110N15 TO-220C ДХС110Н15 ТО-220С 150 В 90А Спецификация устройства DHS110N15, версия 1.0.pdf
47А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор TO-220C ДХС180Н10Л ТО-220С 100В 47А Спецификация устройства DHS180N10L.pdf
N-канальный силовой МОП-транзистор с суперпереходом, 21 А, 650 В DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ТО-247 650В 21А Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
80A 60V N-канальный режим расширения MOSFET DATD063N06N TO-252B ДАТД063N06N ТО-252Б 60В 80А Устройство+DATD063N06N+Спецификация Версия 1.0.pdf
60 А, 20 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХ048Н02Б/ДХ048Н02Д
21 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХС400Н10ЛД/ДХС400Н10ЛБ/ДХС400Н10Л

Видео о продукте

  • Цзянсу Донхай Полупроводниковая Компания, ООО
  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик
    Представлять на рассмотрение
Авторские права © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd. Leadong.com