未命名(1)(8) (1)
gate
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du är här: Hem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modell:
Paket:
V:
A:
VALDA PRODUKTRADER:

12V-300V N MOS

Bild Modell Paket V A Datablad Detaljer Förfrågan Lägg i kundvagnen
N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 TO-220C 60V 145A Enhet DH045N06 Specifikation.pdf
47A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100V 47A Enhet DHS180N10L Specifikation.pdf
90A 150V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150V 90A Enhet DHS110N15 Specifikation Rev.1.0.pdf
21A 100V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
170A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Avgiftspaket DSU035N14N3 VÄGTULL 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datablad_V2.0.pdf
90A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Enhet DH045N04 Specifikation.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
175A 80V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
120A 60V N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120A Enhet+DH065N06+Specifikation+Rev.2.0.pdf
320A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30V 320A Enhet DH012N03 Specifikation.pdf
N-kanals förbättringsläge Ström MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Enhet DHS020N04D Specifikation.pdf
60A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Enhet 50N06B34 Specifikation.pdf
105A 68V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+Datablad+V2.0 .pdf
35A 120V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DSD270N12N3 TO-252B DSD270N12N3 TO-252B 120V 35A Enhet+DSD270N12N3+Specifikation+Rev.1.0.pdf
320A 30V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Enhet DH012N03 Specifikation.pdf
60A 68V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datablad_V1.0 (1).pdf
30A 30V N-kanals förbättringsläge Effekt MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Enhet DH081N03R Specifikation.pdf
12A 100V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Enhet DH850N10D Specifikation (1).pdf
140A 40V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Enhet DHP035N04 Specifikation.pdf

Produktvideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Anmäl dig till vårt nyhetsbrev
  • gör dig redo för framtiden
    registrera dig för vårt nyhetsbrev för att få uppdateringar direkt i din inkorg
    Överlämna
Copyright © 2023​​​​​​​Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com