未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
80 В/3,4 мОм/100 А N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 ДФН5*6-8 80В 100А Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
50A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 ДО-220С 150В 50А Специфікація пристрою DH50N15.pdf
170A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85В 170А Donghai_DSP032N08NA_Datasheet_V1.0.pdf
100 В/1,7 мОм/240 А N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 ДО-220С 100В 240А Donghai_DSG024N10N3&DSE022N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA ТО-263 200В 110А Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA ДО-220С 85В 180А Пристрій+DSG041N08NA+Специфікація+Ред.1.0.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 ТО-252Б 100В 25А Специфікація пристрою 25N10.pdf
120A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 ДО-220С 40В 120А Специфікація пристрою DH033N04.pdf
160A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30В 160А Специфікація пристрою DH020N03P.pdf
120A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS021N04D TO-252B DHS021N04D ТО-252Б 40В 120А Donghai+DHS021N04D+Таблиця даних+V3.0.pdf
85 В/0,9 мОм/360 A N-MOSFET DSU011N08N3A TOLL DSU011N08N3A ПЛАТА 85В 360A Donghai_DSU011N08N3A_Datasheet_V1.0.pdf
180A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 ДО-220С 40В 180А Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+DataSheet+V3.0.pdf
15A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B ТО-251Б 100В 15А Специфікація пристрою DH850N10.pdf
90A 150V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 ДО-220С 150В 90А Специфікація пристрою DHS110N15 Rev.1.0.pdf
47A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET TO-220C DHS180N10L ДО-220С 100В 47A Специфікація пристрою DHS180N10L.pdf
21A 650V N-канальний Super Junction Power MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W ТО-247 650В 21А Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
80A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N ТО-252Б 60В 80А Пристрій+DATD063N06N+Специфікація Rev.1.0.pdf
60A 20V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH048N02B/DH048N02D
21A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com