ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти » MOSFET » 12V-300V N MOS
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

12V-300V N MOS

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
DH030N03
80A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
120A 90V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R ДО-220С 90В 120А Специфікація пристрою DH90N055R.pdf
112A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P ДФН5*6 85В 112А Пристрій DHS043N85P Specification-Rev.1.0.pdf
200 В/11 мОм/110 А N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA ДО-220С 200В 110А Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
100 В/5,2 мОм/95 A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100В 95А Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P ДФН5*6-8 85В 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
220A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA ТО-263 40В 220А Специфікація пристрою DTE025N04NA&DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
180A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 ДО-220С 100В 180А Пристрій+DHS035N10&DHS035N10E+Специфікація+Ред.1.0 (1).pdf
110A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E ТО-263 85В 110А Специфікація пристрою DHS055N85.pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 ТО-252Б 68В 60А Специфікація пристрою 50N06B34.pdf
238A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E ТО-263 60В 238A Специфікація пристрою DH026N06.pdf
105A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D ТО-252Б 68В 95А Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Технічні дані+V2.0 .pdf
80A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E ТО-263 68В 80А Специфікація пристрою DH072N07.pdf
80A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D ТО-252Б 68В 80А Специфікація пристрою DH072N07.pdf
116A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH070N07 ДО-220С 70В 100А Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D ТО-252Б 30В 100А Специфікація пристрою DH033N03(1).pdf
116A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH070N06 ДО-220С 60В 88A Специфікація пристрою DH070N06(2).pdf
100 В/2,9 мОм/190 А N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A ПЛАТА 100В 190А Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
100A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68В 100А Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf

Відео продукту

  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку