未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

12V-300V N MOS

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
320A 30V N-kanálový režim zesílení napájení MOSFET DH012N03D TO-252B DH012N03D TO-252B 30V 320A Specifikace zařízení DH012N03.pdf
205A 85V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85V 205A Specifikace zařízení DHS025N88.pdf
Výkonový MOSFET 320A 20V N-channel Mode Enhancement DH009N02U
12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Specifikace zařízení DH850N10D (1).pdf
60A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
30A 60V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Specifikace zařízení DHZ24B31.pdf
100A 85V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Specifikace zařízení DH85N08.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Specifikace zařízení DH025N03.pdf
47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Specifikace zařízení DH135N10P.pdf
Výkonový MOSFET 49A 80V N-channel Enhancement Mode DH116N08D TO-252B 80V 49A Specifikace zařízení DH116N08.pdf
120A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Specifikace zařízení DH025N03P(1)(1).pdf
40A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
50A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Specifikace zařízení DH150N12.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N88-Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Specifikace zařízení DHS052N10.pdf
140A 40V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Specifikace zařízení DHP035N04.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Specifikace zařízení DHS045N88-Rev.1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Specifikace zařízení DHS052N10.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Specifikace zařízení DH8004 (2).pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com