brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL

načítání

Sdílet s:
tlačítko sdílení na facebooku
tlačítko sdílení na Twitteru
tlačítko sdílení linky
tlačítko sdílení wechat
tlačítko sdílení linkedin
tlačítko sdílení na pinterestu
tlačítko sdílení whatsapp
sdílet toto tlačítko sdílení

100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL

100V/2,9mΩ/190A N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Dostupnost:
Množství:

100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET

1 Popis 


Výkonové mosfety v režimu vylepšení N-kanálů využívaly pokročilý design technologie výkopu s děleným hradlem, který poskytoval vynikající Rdson a nízký náboj hradla. Což odpovídá standardu RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Kvalifikace AEC-Q101 

• Nízký odpor 

• Nízké zpětné přenosové kapacity 

• 100% jednopulzní lavinový energetický test 

• 100% test ΔVDS

• Bezolovnaté pokovování / Bez halogenů / V souladu s RoHS


3 Aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení

• DC-DC měniče 

• Úplné ovládání mostu

• Automobilové aplikace


VDSS RDS(zapnuto)(TYP) ID
100V 2,9 mΩ 190A


Předchozí: 
Další: 
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky