Disponibilidad de MOSFET: | |
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Cantidad: | |
DSU035N10N3A
Wxdh
PEAJE
100V
190a
100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET
1 descripción
El modo de mejora del canal N, MOSFET de potencia, utilizó un diseño de tecnología de trinchera de puerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● AEC-Q101 calificado
• Baja de resistencia
• Capacitancias de transferencia inversa bajas
• Prueba de energía de avalancha de pulso 100% de un solo pulso
• Prueba de 100% ΔVDS
• Capazante sin PB / sin halógeno / ROHS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
• convertidores DC-DC
• Control completo del puente
• Aplicaciones automotrices
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
100V | 2.9mΩ | 190a |
100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET
1 descripción
El modo de mejora del canal N, MOSFET de potencia, utilizó un diseño de tecnología de trinchera de puerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
2 características
● AEC-Q101 calificado
• Baja de resistencia
• Capacitancias de transferencia inversa bajas
• Prueba de energía de avalancha de pulso 100% de un solo pulso
• Prueba de 100% ΔVDS
• Capazante sin PB / sin halógeno / ROHS
3 aplicaciones
● Aplicaciones de conmutación de encendido
• convertidores DC-DC
• Control completo del puente
• Aplicaciones automotrices
VDSS | RDS (ON) (typ) | IDENTIFICACIÓN |
100V | 2.9mΩ | 190a |