100 V/2,9 mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A Toll

100 V/2,9 mΩ/190a n-mosfet

1 Beschreibung 

Das N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten das Design des fortschrittlichen Splite Gate-Gattentechnologie-Designs und bot eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● AEC-Q101 qualifiziert 

• Niedriger Widerstand 

• Niedrige Umkehrtransferkapazität 

• 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

• 100% ΔVDS -Test

• Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform

3 Anwendungen 

● Stromschaltanwendungen

• DC-DC-Konverter 

• Vollbrückenkontrolle

• Automobilanwendungen