100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL

100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Die Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Splite-Gate-Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● AEC-Q101-qualifiziert 

• Geringer Widerstand 

• Geringe Rückübertragungskapazitäten 

• 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

• 100 % ΔVDS-Test

• Bleifreie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

• DC-DC-Wandler 

• Volle Brückenkontrolle

• Automobilanwendungen

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	2,9 mΩ	190A