Kullanılabilirliği: | |
---|---|
Miktar: | |
DSU035N10N3A
WXDH
GEÇİŞ ÜCRETİ
100V
190a
100v/2.9mΩ/190A n-mosfet
1 Açıklama
N-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite kapı hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● AEC-Q101 Nitelikli
• Direnişin düşük
• Düşük ters transfer kapasitansları
•% 100 tek nabız çığ enerji testi
•% 100 ΔVDS testi
• PB içermeyen kaplama / halojensiz / rohs uyumlu
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
• DC-DC dönüştürücüler
• Tam köprü kontrolü
• Otomotiv uygulamaları
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 2.9mΩ | 190a |
100v/2.9mΩ/190A n-mosfet
1 Açıklama
N-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı, gelişmiş splite kapı hendek teknolojisi tasarımı kullandı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● AEC-Q101 Nitelikli
• Direnişin düşük
• Düşük ters transfer kapasitansları
•% 100 tek nabız çığ enerji testi
•% 100 ΔVDS testi
• PB içermeyen kaplama / halojensiz / rohs uyumlu
3 Uygulama
● Güç değiştirme uygulamaları
• DC-DC dönüştürücüler
• Tam köprü kontrolü
• Otomotiv uygulamaları
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 2.9mΩ | 190a |