Availability ความพร้อมใช้งานของ MOSFET: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
DSU035N10N3A
wxdh
โทร
100V
190a
100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFETs ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
● AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
•ความต้านทานต่ำ
•ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
•การทดสอบพลังงานพัลส์หิมะถล่ม 100%
•การทดสอบ 100% ΔVDS
•มาตรฐานการชุบฟรี / ปราศจากฮาโลเจน / ROHS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
•ตัวแปลง DC-DC
•การควบคุมสะพานเต็มรูปแบบ
•แอปพลิเคชันยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
100V | 2.9mΩ | 190a |
100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET
1 คำอธิบาย
โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFETs ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
● AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
•ความต้านทานต่ำ
•ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ
•การทดสอบพลังงานพัลส์หิมะถล่ม 100%
•การทดสอบ 100% ΔVDS
•มาตรฐานการชุบฟรี / ปราศจากฮาโลเจน / ROHS
3 แอปพลิเคชัน
●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน
•ตัวแปลง DC-DC
•การควบคุมสะพานเต็มรูปแบบ
•แอปพลิเคชันยานยนต์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
100V | 2.9mΩ | 190a |