ประตู
บริษัท JIANGSU DONGHAI SEMICODUCTOR CO. , LTD
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » Mosfet » 12v-300v n mos » 100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL

การโหลด

แบ่งปันไปที่:
ปุ่มแบ่งปัน Facebook
ปุ่มแบ่งปัน Twitter
ปุ่มแชร์สาย
ปุ่มแชร์ WeChat
ปุ่มแบ่งปัน LinkedIn
ปุ่มแชร์ Pinterest
ปุ่มแบ่งปัน whatsapp
ปุ่มแชร์แชร์

100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL

100V/2.9MΩ/190A N-Channel Enhancement Mode Power
Availability ความพร้อมใช้งานของ MOSFET:
ปริมาณ:
  • DSU035N10N3A

  • wxdh

  • โทร

  • donghai_dsu035n10n3a_datasheet_v1.0.pdf

  • 100V

  • 190a

100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET

1 คำอธิบาย 


โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFETs ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 


2 คุณสมบัติ 

● AEC-Q101 ผ่านการรับรอง 

•ความต้านทานต่ำ 

•ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

•การทดสอบพลังงานพัลส์หิมะถล่ม 100% 

•การทดสอบ 100% ΔVDS

•มาตรฐานการชุบฟรี / ปราศจากฮาโลเจน / ROHS


3 แอปพลิเคชัน 

●แอปพลิเคชันการสลับพลังงาน

•ตัวแปลง DC-DC 

•การควบคุมสะพานเต็มรูปแบบ

•แอปพลิเคชันยานยนต์


VDSS RDS (ON) (TYP) รหัสประจำตัว
100V 2.9mΩ 190a


ก่อนหน้า: 
ต่อไป: 
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับ
    การลงทะเบียนในอนาคตเพื่อรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับการอัปเดตโดยตรงไปยังกล่องจดหมายของคุณ