100V/2.9mΩ/190A N-MOSFET
1 توضیحات
ماسفتهای قدرتی حالت ارتقای کانال N از طراحی پیشرفته فناوری ترانشه گیت اسپلیت استفاده میکردند که Rdson عالی و شارژ گیت کم را ارائه میداد. که مطابق با استاندارد RoHS است.
2 ویژگی
● واجد شرایط AEC-Q101
• مقاومت کم
• ظرفیت های انتقال معکوس کم
• تست 100% انرژی بهمن تک پالس
• تست 100% ΔVDS
• آبکاری بدون سرب / بدون هالوژن / سازگار با RoHS
3 برنامه های کاربردی
● برنامه های سوئیچینگ برق
• مبدل های DC-DC
• کنترل کامل پل
• برنامه های کاربردی خودرو
| VDSS |
RDS(روشن)(TYP) |
شناسه |
| 100 ولت |
2.9mΩ |
190A |