100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET
1説明
Nチャネルエンハンスメントモードの電源MOSFETは、高度なスプライトゲートトレンチテクノロジーの設計を使用し、優れたRDSONと低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。
2つの機能
●AEC-Q101資格
•抵抗が少ない
•低逆転送容量
•100％単一パルス雪崩エネルギーテスト
•100％ΔVDSテスト
•PBフリーメッキ /ハロゲンフリー / ROHS準拠
3つのアプリケーション
●電源スイッチングアプリケーション
•DC-DCコンバーター
•フルブリッジコントロール
•自動車アプリケーション
| VDSS | rds（on）（typ） | id |
| 100V | 2.9mΩ | 190a |
100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET
1説明
Nチャネルエンハンスメントモードの電源MOSFETは、高度なスプライトゲートトレンチテクノロジーの設計を使用し、優れたRDSONと低ゲートチャージを提供しました。 ROHS標準と一致しています。
2つの機能
●AEC-Q101資格
•抵抗が少ない
•低逆転送容量
•100％単一パルス雪崩エネルギーテスト
•100％ΔVDSテスト
•PBフリーメッキ /ハロゲンフリー / ROHS準拠
3つのアプリケーション
●電源スイッチングアプリケーション
•DC-DCコンバーター
•フルブリッジコントロール
•自動車アプリケーション
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