100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET
1 설명
N- 채널 향상 모드 Power MOSFET은 고급 스플 라이트 게이트 트렌치 기술 설계를 사용하여 우수한 RDSON과 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다.
2 가지 기능
● AEC-Q101 자격
• 저항이 적습니다
• 낮은 리버스 전송 커패시턴스
• 100% 단일 펄스 눈사태 에너지 테스트
• 100% ΔVDS 테스트
• PB-FREE PLATING / HALOGEN-FREE / ROHS 준수
3 응용 프로그램
● 전원 스위칭 응용 프로그램
• DC-DC 변환기
• 완전한 브리지 컨트롤
• 자동차 애플리케이션
| VDSS | RDS (on) (타이핑) | ID |
| 100V | 2.9mΩ | 190a |
100V/2.9MΩ/190A N-MOSFET
1 설명
N- 채널 향상 모드 Power MOSFET은 고급 스플 라이트 게이트 트렌치 기술 설계를 사용하여 우수한 RDSON과 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다.
2 가지 기능
● AEC-Q101 자격
• 저항이 적습니다
• 낮은 리버스 전송 커패시턴스
• 100% 단일 펄스 눈사태 에너지 테스트
• 100% ΔVDS 테스트
• PB-FREE PLATING / HALOGEN-FREE / ROHS 준수
3 응용 프로그램
● 전원 스위칭 응용 프로그램
• DC-DC 변환기
• 완전한 브리지 컨트롤
• 자동차 애플리케이션
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| 100V | 2.9mΩ | 190a |
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