100V/2,9MΩ/190A N-MOSFET
1 Beskrivelse
N-kanals forbedringsmodus MOSFET-er brukte avansert splite gate Trench Technology Design, ga utmerket RDSON og lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
2 funksjoner
● AEC-Q101 kvalifisert
• Lav mot motstand
• lave omvendte overføringskapasitanser
• 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test
• 100% ΔVDS -test
• PB-Free Plating / Halogen-Free / ROHS-kompatibel
3 søknader
● Power Switching -applikasjoner
• DC-DC-omformere
• Full brokontroll
• Automotive applikasjoner
VDSS Rds (på) (typ) Id 100V 2,9MΩ 190a
100V/2,9MΩ/190A N-MOSFET
1 Beskrivelse
N-kanals forbedringsmodus MOSFET-er brukte avansert splite gate Trench Technology Design, ga utmerket RDSON og lav portladning. Som stemmer overens med ROHS -standarden.
2 funksjoner
● AEC-Q101 kvalifisert
• Lav mot motstand
• lave omvendte overføringskapasitanser
• 100% enkeltpuls Avalanche Energy Test
• 100% ΔVDS -test
• PB-Free Plating / Halogen-Free / ROHS-kompatibel
3 søknader
● Power Switching -applikasjoner
• DC-DC-omformere
• Full brokontroll
• Automotive applikasjoner
VDSS Rds (på) (typ) Id 100V 2,9MΩ 190a
{ 'json ': '[{\' downloadUrl \ ': \' // a0-static.micyjz.com/donghai_dsu035n10n3a_datasheet_v1.0-aidllbjkmjlmsrlkqnoroOjp.pdf?dpjkmjlmsrlkqnoroojp.pdf?kkmjlmsrlkqnoroOjp.pdlbjkmjlmsrlkqnoroOjp.0-aidllbjkMjlmSrlm 1 \ ', \' Encodefileid \ ': \' ndpakvmisntj \ ', \' FileId \ ': 6233844, \' filnavn \ ': \' dongghai_dsu035n10n3a_datash_v1.0.psu035n10n3a_datash_v1.phai_dsu035n10N10name ': ': 'Filetype \': \ 'pdf \', \ 'Photourlnormal \': \ '// a2-static.micyjz.com/static/assets/widget/images/downloadnew/pdf.svg\',\' meg \ ': \' donghai_dsu035n10n3a_datasheet_v1.0.pdf \ ', \' navn \ ': \' donghai_dsu035n10n3a_datasheet_v1.0.pdf '' ', ' '', '' ', ', ', ', ', ', ', ', ', ', ',
