100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A

100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET

1 Descriere 

Mosfet-urile de putere cu modul de îmbunătățire N-canal au folosit un design avansat de tehnologie de șanț cu poarta divizată, oferind un Rdson excelent și o încărcare scăzută a porții. Ceea ce este în conformitate cu standardul RoHS. 

2 Caracteristici 

● Calificat AEC-Q101 

• Rezistență scăzută 

• Capacitate reduse de transfer invers 

• Test de energie de avalanșă cu un singur impuls 100%. 

• Test ΔVDS 100%.

• Placare fără Pb / Fără halogen / Conform RoHS

3 Aplicații 

● Aplicații de comutare a puterii

• Convertoare DC-DC 

• Control complet al podului

• Aplicații auto

VDSS	RDS(activat)(TYP)	ID
100V	2,9 mΩ	190A