未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
160A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12E TO-263 DHS044N12E TO-263 120V 160A Donghai_DHS044N12&DHS044N12E_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06D TO-252B DH066N06D TO-252B 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
100V/15mΩ/50A N-MOSFET TO-252B DHS180N10LD TO-252B 100V 50A Donghai_DHS180N10LD_Datasheet_V1.0-SOQ.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06 TO-220C DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf
160A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12 TO-220C DHS044N12 -220C 120V 160A Laite DHS044N12 Specification.pdf
70A 82V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH8290 TO-220C DH8290 -220C 82V 70A Laite DH8290 Specification.pdf
85V/2,9mΩ/215AN-MOSFET DH025N08 TO-220C DH025N08 -220C 85V 215A Donghai_DH025N08_Datasheet_V1.0.pdf
174A 85V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS030N88E TO-263 DHS030N88E TO-263 85V 174A Laite DHS030N88 Specification.pdf
45A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS160N100D TO-252B DHS160N100D TO-252B 100V 45A Donghai_DHS160N100D_Datasheet_V2.0.pdf
25A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 25N10 TO-220C 25N10 -220C 100V 25A Laite 25N10 Specification.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätilateho MOSFET 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10K TO-252B 30V 100A Donghai_30H10_Datasheet_V1.0.pdf
96A 40V N-kanavainen lisätila teho MOSFET DH033N04P DFN5X6 DH033N04P DFN5X6 40V 96A Donghai_DH033N04P+_Datasheet_V1.0.pdf
8N65 - 220C 8N65
100V/12mΩ/60A N-MOSFET DSD150N10L3 TO-252B 100V 60A Donghai_DSD150N10L3&DSB150N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
180A 135V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DSG052N14N -220C 135V 180A Donghai_DSE050N14N&DSG052N14N_DataSheet_V2.0(1).pdf
DSU047N15NA MAKSUPAKETTI DSU047N15NA
DH019N04P DFN5X6-8 DH019N04P
150V/7,5mΩ/115A N-MOSFET TO-220C DSG092N15N3A -220C 150V 115A
200A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH020N03D TO-252B DH020N03D TO-252B 30V 200A Laite DH020N03(B39) Specification.pdf
N-kanavainen tehostustila MOSFET 68A 100V DH140N10D TO-252B 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com