238A 60V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH026N06E TO-263

238A 60V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus 

DH026N06 on N-kanavainen lisälaitetila, jossa käytettiin edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet 

● Alhainen vastus 

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi 

3 Sovellukset 

● Hakkurivirtalähde 

● Invertterin virranhallintajärjestelmä 

● Sähkötyökalun ohjaus 

● Autoelektroniikkasovellukset

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
60V	2,6 mΩ	238A