238A 60V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET DH026N06E TO-263

238A 60V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

1 ဖော်ပြချက် 

DH026N06 သည် အထူးကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည့် N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets ဖြစ်သည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● ခုခံမှုနည်းသည်။ 

● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ 

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 

3 လျှောက်လွှာများ 

● ပါဝါထောက်ပံ့မှုကို ပြောင်းခြင်း။ 

● အင်ဗာတာ ပါဝါစီမံခန့်ခွဲမှုစနစ် 

● ပါဝါကိရိယာ ထိန်းချုပ်မှု 

● မော်တော်ကား အီလက်ထရွန်းနစ် အသုံးချပရိုဂရမ်များ

VDSS	RDS(ဖွင့်)(TYP)	အမှတ်သညာ
60V	2.6mΩ	238A