port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS » 238A 60V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06E TO-263

indlæsning

Del til:
facebook delingsknap
twitter-delingsknap
knap til linjedeling
wechat-delingsknap
linkedin-delingsknap
pinterest delingsknap
whatsapp delingsknap
del denne delingsknap

238A 60V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET DH026N06E TO-263

238A 60V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
Tilgængelighed:
Antal:

238A 60V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET


1 Beskrivelse 

DH026N06 er en N-kanal forbedringstilstand power-mosfets brugte avanceret skyttegravsteknologidesign, der gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden. 


2 funktioner 

● Lav modstand 

● Lav portladning 

● Hurtigt skifte 

● Lave omvendte overførselskapacitanser 

● 100 % enkeltpuls lavineenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 


3 Ansøgninger 

● Skift af strømforsyning 

● Inverter strømstyringssystem 

● Styring af elværktøj 

● Automotive elektronik applikationer

VDSS RDS(on)(TYP) ID
60V 2,6 mΩ 238A


Tidligere: 
Næste: 
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • gør dig klar til fremtiden
    tilmeld dig vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte i din indbakke