MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 238A y 60 V
1 Descripción
El DH026N06 es un mosfets de potencia en modo de mejora de canal N que utiliza un diseño de tecnología de zanja avanzada y proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS.
2 características
● Baja resistencia
● Cargo de puerta bajo
● Cambio rápido
● Bajas capacitancias de transferencia inversa.
● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%
● Prueba 100% ΔVDS
3 aplicaciones
● Fuente de alimentación conmutada
● Sistema de gestión de energía del inversor.
● Control de herramientas eléctricas
● Aplicaciones de electrónica automotriz
| VDSS |
RDS (activado) (TIPO) |
IDENTIFICACIÓN |
| 60V |
2,6 mΩ |
23rgía y el desarrollo sostenible se están convirtiendo en prioridades globales, la industria de la iluminación ha experimentado una revolución tecnológica. Las soluciones de iluminación tradicionales, como las lámparas incandescentes y fluorescentes, están siendo reemplazadas rápidamente por sistemas basados en LED debido a su mayor eficiencia energética y su mayor vida útil. Sin embargo, el rendimiento de estos modernos sistemas de iluminación no sólo depende de los propios LED, sino también de la electrónica de potencia que hay detrás de ellos. Entre estos componentes cruciales, el módulo de diodo de barrera Schottky (SBD) de 20 A y 200 V desempeña un papel clave para mejorar la conversión de energía, reducir el desperdicio de energía y garantizar la confiabilidad del sistema. |
