MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N 238A 60V DH026N06E TO-263

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 238A y 60 V

1 Descripción 

El DH026N06 es un mosfets de potencia en modo de mejora de canal N que utiliza un diseño de tecnología de zanja avanzada y proporciona un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones 

● Fuente de alimentación conmutada 

● Sistema de gestión de energía del inversor. 

● Control de herramientas eléctricas 

● Aplicaciones de electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
60V	2,6 mΩ	238A