238 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH026N06E TO-263

238 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 

Der DH026N06 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus, der ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design verwendet und einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Schaltnetzteil 

● Wechselrichter-Energieverwaltungssystem 

● Steuerung von Elektrowerkzeugen 

● Anwendungen der Automobilelektronik

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
60V	2,6 mΩ	238A