238A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH026N06E TO-263

238A 60V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

DH026N06, mükemmel Rdson ve düşük kapı şarjı sağlayan, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanan bir N-kanal geliştirme modu güç mosfetidir. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler 

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç kaynağının değiştirilmesi 

● İnverter güç yönetim sistemi 

● Elektrikli alet kontrolü 

● Otomotiv elektroniği uygulamaları

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
60V	2,6 mΩ	238A