70V/6,3mΩ/100A N-MOSFET
1 Kuvaus
Näissä N-kanavan tehostustilan tehomosfeteissa käytettiin edistynyttä kaivaustekniikkaa, mikä tarjosi erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.
2 Ominaisuudet
● Alhainen vastus
● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit
● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti
● 100 % ΔVDS-testi
● Pb-vapaa pinnoitus / halogeeniton / RoHS-yhteensopiva
3 Sovellukset
● Virrankytkentäsovellukset
● DC-DC-muuntimet
● Täysi siltaohjaus
| VDSS |
RDS(päällä)(TYP) |
ID |
| 70V |
6,3 mΩ |
100A |