brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12V-300V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
80 V/3,4 mΩ/100 A N-MOSFET DSP037N08N3 DFN5X6 DSP037N08N3 DFN5*6-8 80 V 100A Donghai_DSP037N08N3_Datasheet_V1.0.pdf
DSE022N10N3 TO-263 DSE022N10N3
50A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH50N15 TO-220C DH50N15 TO-220C 150 V 50A Specyfikacja urządzenia DH50N15.pdf
170A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DSP032N08NA DFN5X6 DSP032N08NA DFN5X6 85 V 170A Donghai_DSP032N08NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
100V/1,7mΩ/240A N-MOSFET DSG024N10N3 TO-220C DSG024N10N3 TO-220C 100 V 240A Donghai_DSG024N10N3&DSE022N10N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSE108N20NA TO-263 DSE108N20NA TO-263 200 V 110A Donghai_DSE108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG041N08NA TO-220C DSG041N08NA TO-220C 85 V 180A Urządzenie+DSG041N08NA+Specyfikacja+Rev.1.0.pdf
25A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D25N10 TO-252B D25N10 TO-252B 100 V 25A Specyfikacja urządzenia 25N10.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N04 TO-220C DH033N04 TO-220C 40 V 120A Specyfikacja urządzenia DH033N04.pdf
120A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04D TO-252B DHS021N04D TO-252B 40 V 120A Donghai+DHS021N04D+karta katalogowa+V3.0.pdf
160A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH020N03P 5x6-8 DH020N03P DFN5X6 30 V 160A Specyfikacja urządzenia DH020N03P.pdf
15A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100 V 15A Specyfikacja urządzenia DH850N10.pdf
180A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS021N04 TO-220C DHS021N04 TO-220C 40 V 180A Donghai+DHS021N04&DHS021N04E+karta katalogowa+V3.0.pdf
85V/0,9mΩ/360A N-MOSFET DSU011N08N3A OPŁATA DSU011N08N3A MYTO 85 V 360A Donghai_DSU011N08N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
47A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET TO-220C DHS180N10L TO-220C 100 V 47A Specyfikacja urządzenia DHS180N10L.pdf
90A 150V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS110N15 TO-220C DHS110N15 TO-220C 150 V 90A Specyfikacja urządzenia DHS110N15 Rev.1.0.pdf
21A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS400N10LD /DHS400N10LB /DHS400N10L
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Urządzenie+DATD063N06N+Specyfikacja Rev.1.0.pdf
21A 650V N-kanałowy superzłącze mocy MOSFET DHSJ21N65W TO-247 DHSJ21N65W TO-247 650 V 21A Donghai_DHSJ21N65W_Datesheet_V1.0.pdf
MOSFET mocy w trybie N, 60 A, 20 V DH048N02B/DH048N02D

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą