brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

12 V-300 V N-MOS

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
96A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia MOSFET mocy DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specyfikacja urządzenia DSP051N10N Wersja 1.0.pdf
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
112A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85 V 112A Specyfikacja urządzenia DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A Donghai_DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
120A 90V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90 V 120A Specyfikacja urządzenia DH90N055R.pdf
100 V/5,2 mΩ/95 A N-MOSFET DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A Donghai_DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
108A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85 V 108A Donghai_DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
220A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Urządzenie DTE025N04NA i DTG025N04NA Specyfikacja Rev.1.0.pdf
180A 100V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100 V 180A Urządzenie+DHS035N10 i DHS035N10E+Specyfikacja+Rev.1.0 (1).pdf
110A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85 V 110A Specyfikacja urządzenia DHS055N85.pdf
60A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68 V 60A Specyfikacja urządzenia 50N06B34.pdf
105A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68 V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+karta katalogowa+V2.0.pdf
80A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68 V 80A Specyfikacja urządzenia DH072N07.pdf
238A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60 V 238A Specyfikacja urządzenia DH026N06.pdf
100A 30V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Specyfikacja urządzenia DH033N03(1).pdf
80A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68 V 80A Specyfikacja urządzenia DH072N07.pdf
116A 68V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH070N07 TO-220C 70 V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Arkusz danych_V1.0.pdf
100A 68V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68 V 100A Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
100 V/2,9 mΩ/190 A N-MOSFET DSU035N10N3A OPŁATA DSU035N10N3A MYTO 100 V 190A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
116A 68V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH070N06 TO-220C 60 V 88A Specyfikacja urządzenia DH070N06(2).pdf

Film o produkcie

  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą