未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 -220C 60V 100A DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf
15A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH850N10B TO-251B DH850N10B TO-251B 100V 15A Laite DH850N10 Specification.pdf
40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PAKETTI DSE012N04NA TO-263 40V 200A DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
59A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 -220C 100V 59A Laite 60N10B76 Specification(1).pdf
270A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12U TOLL PAKETTI DHS044N12U TOLL 120V 270A DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 -220C 100V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
105A 68V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 -220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG014N04N TO-220CPpaketti DSG014N04N -220C 40V 200A DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100V 103A DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
DSG019N04L TO-220C paketti DSG019N04L -220C 40V 180A DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
100A 70V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70V 100A DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
40V/4.0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
180A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DTG018N04N -220C DTG018N04N -220C 40V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Datasheet Rev.1.0 .pdf
N-kanavainen laajennustilan teho MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
18A 200V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH640 TO-220C DH640 -220C 200V 18A Device 640 Specification.pdf
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100V 99A Laitteen DHS052N10P Specification.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com