未命名(1)(8) (1)
portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
90A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 -220C 40V 90A Laite DH045N04 Specification.pdf
170 A 100 V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100V 170A Donghai_DSG030N10N3&DSE028N10N3_Datasheet_V1.0.pdf
100A 60V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH066N06 TO-220C DH066N06 -220C 60V 100A Donghai_DH066N06D_Datasheet_V2.0.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 145A 60V DH045N06D TO-252B DH045N06 -220C 60V 145A Laite DH045N06 Specification.pdf
135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 Maksullinen paketti DSU035N14N3 TOLL 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
90A 40V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100V 50A Laite DH045N04 Specification.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
120A 60V N-kanavainen lisätilateho MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 -220C 60V 120A Laite+DH065N06+Specification+Rev.2.0.pdf
180A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH029N08 TO-220C DH029N08 -220C 80V 180A Laite DH029N08 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 120A 98V DHS045N98 TO-220C DHS045N98 -220C 98V 120A Laite DHS045N98 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH3205A TO-220C DH3205A -220C 68V 100A Laitteen DH3205A tekniset tiedot.pdf
180A 68V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
N-kanavainen laajennustilan teho MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
145A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH028N03D TO-252B DH028N03D TO-252B 30V 145A Laite DH028N03 Specification.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A Donghai_DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PAKETTI DSE012N04NA TO-263 40V 200A Donghai_DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
59A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 -220C 100V 59A Laite 60N10B76 Specification(1).pdf
270A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS044N12U TOLL PAKETTI DHS044N12U TOLL 120V 270A Donghai_DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
100A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30V 100A Donghai_DH012N03P_Datasheet_V2.0.pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 -220C 100V 100A Donghai_DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf

Tuotevideo

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi
    Lähetä
Tekijänoikeus © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com