portti
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Olet täällä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Malli:
Paketti:
V:
V:
VALITUT TUOTELINJAT:

12V-300V N MOS

Kuva Mallipaketti V A Datasheet Tiedot Kysely Lisää koriin
 N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 110A 100 V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Laite DHS052N10 Specification.pdf
N-kanavan laajennustilan teho MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Laitteen DH8004 tekniset tiedot (2).pdf
12A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Laitteen DH850N10D tekniset tiedot (1).pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
30A 60V N-kanavan lisäystila Virta MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Laite DHZ24B31 Specification.pdf
140A 40V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Laite DHP035N04 Specification.pdf
47A 100V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Laitteen DH135N10P Specification.pdf
100A 85V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 -220C 85V 100A Laite DH85N08 Specification.pdf
25A 100V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 -220C 30V 150A Laite DH025N03 Specification.pdf
49A 80V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET DH116N08D TO-252B 80V 49A Laite DH116N08 Specification.pdf
40A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Laite DH025N03P Specification(1)(1).pdf
50A 120V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Laite DH150N12 Specification.pdf
175A 80V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
320A 30V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 -220C 30V 320A Laite DH012N03 Specification.pdf
30A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30V 30A Laitteen DH081N03R Specification.pdf
 N-kanavan parannustilan teho MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40V 180A Laitteen DHS020N04D Specification.pdf
60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Laite 50N06B34 Specification.pdf
105A 68V N-kanavainen parannustila Virta MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
310A 20V N-kanavan parannustilan teho MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 -220C 20V 310A Laite DH009N02 Specification.pdf

Tuotevideo

  • Tilaa uutiskirjeemme
  • Valmistaudu tulevaan
    tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi