120A 30V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH025N03P DFN5*6

120A 30V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdson-latauksen ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen. 

2 Ominaisuudet

● Alhainen vastus

● Matala portin lataus 

● Nopea vaihto 

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit 

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti 

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset

● Virrankytkentäsovellukset 

● Invertterin hallintajärjestelmä 

● Sähkötyökalut 

● Autoelektroniikka

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
30V	2,0 mΩ	120A