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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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120A 30V N-canal Modo de mejora MOSFET DH025N03P DFN5*6

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS.
Disponibilidad:
Cantidad:

120A 30V MODANCE DE MEDIA DE MEDIACIÓN DE CANAL


1 descripción

Estos Mosfets de potencia de potencia de modo de mejora del canal N utilizaron un diseño de tecnología de trinchera avanzada, proporcionó una excelente carga de RDSON y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características

● Bajo en resistencia

● carga de puerta baja 

● Cambio rápido 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas 

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100% 

● Prueba de 100% ΔVDS


3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de encendido 

● Sistema de gestión de inversores 

● Herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz


VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN
30V 2.0mΩ 120a


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