未命名 (1) (8) (1)
vrata
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ste tukaj: Doma » Izdelki » Mosfet » 12V-300V N MO » 120a 30V način izboljšanja N-kanala Power MOSFET DH025N03P DFN5*6

nalaganje

Delite:
Gumb za skupno rabo Facebooka
Gumb za skupno rabo Twitterja
Gumb za skupno rabo vrstic
Gumb za skupno rabo WeChat
Gumb za skupno rabo LinkedIn
Gumb za skupno rabo Pinterest
Gumb za skupno rabo WhatsApp
Gumb za skupno rabo

120A 30V Način izboljšanja N-kanalov Power MOSFET DH025N03P DFN5*6

Ta način izboljšanja N-kanalov Power MOSFETS je uporabil napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljal odličen RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS.
Razpoložljivost:
Količina:
Poizvedite Dodaj v košarico

120A 30V Način izboljšanja N-kanala Power MOSFET


1 opis

Ta način izboljšanja N-kanalov Power MOSFETS je uporabljal napredno zasnovo tehnologije jarkov, zagotavljal odlično RDSON in nizko polnjenje vrat. Ki ustreza standardu ROHS. 


2 značilnosti

● nizko odpornost

● Nizka naboj vrat 

● Hitro preklapljanje 

● Kapacitivnosti z nizkim povratnim prenosom 

● 100% enojni preskus energije z enim impulzom 

● 100% ΔVDS test


3 aplikacije

● Aplikacije za preklop napajanja 

● Sistem upravljanja pretvornikov 

● Električna orodja 

● Avtomobilska elektronika


VDS RDS (ON) (Typ) Id
30V 2.0MΩ 120a


Prejšnji: 
Naslednji: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naše glasilo
  • Pripravite se na prihodnjo
    prijavo na naše glasilo, da dobite posodobitve naravnost v mapo »Prejeto«
    Oddaj
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologija LEADENG.COM