120A 30V N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET DH025N03P DFN5*6

120A 30V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel မြှင့်တင်မှုမုဒ်ပါဝါ mosfets များသည် ကောင်းမွန်သော Rdson နှင့် low gate charge ကိုပေးစွမ်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာဒီဇိုင်းကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● ခုခံမှုနည်းသည်။

● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ 

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု

3 လျှောက်လွှာများ

● ပါဝါပြောင်းခြင်း အပလီကေးရှင်းများ 

● အင်ဗာတာ စီမံခန့်ခွဲမှုစနစ် 

● လျှပ်စစ်ကိရိယာများ 

● မော်တော်ကား လျှပ်စစ်ပစ္စည်း

VDSS	RDS(ဖွင့်)(TYP)	အမှတ်သညာ
30V	2.0mΩ	120A