120A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH025N03P DFN5*6

120A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler

● Düşük direnç

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi

3 Uygulama

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● İnvertör yönetim sistemi 

● Elektrikli aletler 

● Otomotiv elektroniği

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
30V	2.0mΩ	120A