Olet tässä: Kotiin » Tuotteet » MOSFET » 12V-300V N MOS » 60A 68V N-kanavainen lisälaitetila Virta MOSFET DH105N07P DFN5*6-8

60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH105N07P DFN5*6-8

Jaa:

60A 68V N-kanavainen lisätila Virta MOSFET DH105N07P DFN5*6-8

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin muka kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukstop Insulated Gate Bipolar Transistorista

~!phoenix_var62_1!~

, seuraavat artikkelit antavat sinulle apua. Nämä uutiset ovat uusin markkinatilanne, kehitystrendi tai niihin liittyvät vinkit



Tiedustella Lisää koriin

Malli:
DH105N07P
Merkki:
LXDH
Paketti:
DFN5*6-8
Tietolomake:
Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
V:
70V
V:
56A

Tuotteen kuvaus

56A 70V N-kanavainen parannustilan teho MOSFET

1 Kuvaus

Nämä N-kanavan tehostustilan tehomosfetit käyttivät edistynyttä kaivaustekniikkaa, tarjoten erinomaisen Rdsonin ja alhaisen porttilatauksen. Joka on RoHS-standardin mukainen.

2 Ominaisuudet

● Alhainen vastus

● Matala portin lataus

● Nopea vaihto

● Alhaiset paluusiirtokapasitanssit

● 100 % yhden pulssin lumivyöryenergiatesti

● 100 % ΔVDS-testi

3 Sovellukset

● Virrankytkentäsovellukset

● DC-DC-muuntimet

● Täysi siltaohjaus

VDSS	RDS(päällä)(TYP)	ID
70V	10,5 mΩ	56A

Edellinen:

Seuraavaksi:

MOSFET

Tilaa uutiskirjeemme
Valmistaudu tulevaan
tilaamalla uutiskirjeemme saadaksesi päivitykset suoraan sähköpostiisi

Lähetä

TUOTTEEMME
- MOSFET
- DIODI
- IGBT
- IGBT-MODUULI
- SIC
- Jännitteensäädin IC
LETORISTA
LISÄÄ LINKKEJÄ
OTA YHTEYTTÄ

Sähköposti:

sales@wxdh.com .cn

Lankapuhelin:

+86-510-85307789
SOSIAALISET VERKOT