未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 60a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

60A 68V N-kanálový vylepšení režim Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

56a 70V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET


1 Popis 

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce 

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení

● DC-DC Converters 

● Plná ovládání mostu


VDSS RDS (ON) (typ) Id
70V 10,5 mΩ 56a


Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com