brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS » 60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07P DFN5*6-8

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07P DFN5*6-8

Tieto výkonové mosfety s režimom vylepšenia N-kanála využívali dizajn pokročilej technológie výkopu, poskytovali vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS.
Dostupnosť:
Množstvo:

56A 70V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET


1 Popis 

Tieto výkonové mosfety s režimom vylepšenia N-kanála využívali dizajn pokročilej technológie výkopu, poskytovali vynikajúci Rdson a nízky náboj brány. Čo je v súlade s normou RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Nízky odpor 

● Nízky poplatok za bránu 

● Rýchle prepínanie 

● Nízke kapacity spätného prenosu 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom 

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie 

● Aplikácie na prepínanie napájania

● DC-DC meniče 

● Úplné ovládanie mosta


VDSS RDS(zapnuté)(TYP) ID
70 V 10,5 mΩ 56A


Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty