ворота
Цзянсу Дунхай Полупроводниковая Компания, ООО
Вы здесь: Дом » Продукты » МОП-транзистор » 12В-300В Н МОП
Модель:
Упаковка:
В:
А:
ИЗБРАННЫЕ ЛИНИИ ПРОДУКЦИИ:

12 В-300 В Н МОП

Изображение Модель Пакет V A Техническое описание Подробности Запрос Добавить в корзину
12А, 60 В, N-канальный режим расширения, силовой МОП-транзистор D12N06 TO-252 Д12Н06 ТО-252Б 60В 12А Спецификация устройства Д12Н06(ТО-252Б).pdf
80А, 40 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH065N04D TO-252B ДХ065Н04Д ТО-252Б 40В 80А Спецификация устройства DH065N04.pdf
116 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХ070Н06 ТО-220С 60В 88А Спецификация устройства DH070N06(2).pdf
100 В/2,9 мОм/190 А N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL ДСУ035Н10Н3А ПОТЕРИ 100 В 190А Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
100 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68В 100А Донхай_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 .pdf
85А, 80 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH075N08 TO-220C ДХ075Н08 ТО-220С 80В 95А Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
100 В/1,5 мОм/240 А N-MOSFET DSC018N10N TO-247 ДСК018Н10Н ТО-247 100 В 240А Donghai_DSC018N10N_Datasheet_V1.0.pdf
205A 85V N-канальный режим расширения MOSFET DHS025N88 TO-263 ДХС025Н88Е ТО-263 85В 205А Спецификация устройства DHS025N88.pdf
180 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS035N10 TO-220 ДХС035Н10 ТО-220С 100В 180А Устройство+DHS035N10&DHS035N10E+Спецификация+Ред.1.0 (1).pdf
60А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHD50N06 TO-252B ДХД50Н06 ТО-252Б 68В 60А Спецификация устройства 50Н06Б34.pdf
110 А, 85 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS055N85E TO-263 ДХС055Н85Е ТО-263 85В 110А Спецификация устройства DHS055N85.pdf
80A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E ТО-263 68В 80А Спецификация устройства DH072N07.pdf
238А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH026N06E TO-263 ДХ026N06E ТО-263 60В 238А Спецификация устройства DH026N06.pdf
105A 68V N-канальный режим расширения MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D ТО-252Б 68В 95А Дунхай+DHS055N07B&DHS055N07D+Технические данные+V2.0 .pdf
116 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор ДХ070Н07 ТО-220С 70В 100А Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
100 А, 30 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH033N03D TO-252B DH033N03D ТО-252Б 30 В 100А Спецификация устройства DH033N03(1).pdf
80А, 68В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH072N07D TO-252B DH072N07D ТО-252Б 68В 80А Спецификация устройства DH072N07.pdf
96 А, 100 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DFN5X6 ДСП051Н10Н ДФН5*6-8 100В 96А Спецификация устройства DSP051N10N, версия 1.0.pdf
80 А, 60 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHS065N06P DFN5X6 ДХС065Н06П
120 А, 90 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DH90N055R TO-220C ДХ90Н055Р ТО-220С 90В 120А Спецификация устройства DH90N055R.pdf

Видео о продукте

  • Подпишитесь на нашу рассылку
  • будьте готовы к будущему,
    подпишитесь на нашу рассылку, чтобы получать обновления прямо на ваш почтовый ящик