60А, 68В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор DHD50N06 TO-252B

60 А, 68 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор

1 Описание 

В этих улучшенных N-канальных VDMOSFET-транзисторах использована передовая траншейная технология, обеспечивающая превосходный RDSON и низкий заряд затвора. Что соответствует стандарту RoHS. 

2 особенности

● Быстрое переключение

● Низкое сопротивление включения (Rdson≤22 мОм).

● Низкий заряд затвора (тип: 60 нКл). 

● Низкая емкость обратного переноса (тип: 275 пФ). 

● 100% одноимпульсное испытание лавинной энергии. 

● 100 % ΔVDS-тест. 

3 приложения

● Приложения для переключения питания 

● Импульсный источник питания (SMPS)

● Источник бесперебойного питания (ИБП). 

● Коррекция коэффициента мощности (PFC).

ВДСС	RDS(вкл.)(ТИП)	ИДЕНТИФИКАТОР
68В	10,5 мОм	60А