60A 68V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DHD50N06 TO-252B

60A 68V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama 

Bu N-kanallı Geliştirilmiş VDMOSFET'ler, gelişmiş hendek teknolojisi tasarımı kullanılarak mükemmel RDSON ve düşük geçit şarjı sağladı. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler

● Hızlı Geçiş

● Düşük AÇIK Direnç(Rdson≤22mΩ)

● Düşük Geçit Yükü (Tip: 60nC) 

● Düşük Ters Transfer Kapasiteleri (Tip: 275pF) 

● %100 Tek Darbeli Çığ Enerjisi Testi 

● %100 ΔVDS Testi 

3 Uygulama

● Güç anahtarlama uygulamaları 

● Anahtarlamalı Güç Kaynağı(SMPS)

● Kesintisiz güç kaynağı (UPS) 

● Güç Faktörü Düzeltmesi (PFC)

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
68V	10,5 mΩ	60A