MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 60A 68V DHD50N06 TO-252B

MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 60 A 68 V

1 Descriptif 

Ces VDMOSFET améliorés à canal N utilisent une conception de technologie de tranchée avancée, fournissent un excellent RDSON et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques

● Commutation rapide

● Faible résistance ON (Rdson≤22mΩ)

● Charge de porte faible (type : 60 nC) 

● Faibles capacités de transfert inverse (type : 275 pF) 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 % 

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures

● Applications de commutation de puissance 

● Alimentation à découpage (SMPS)

● Alimentation sans interruption (UPS) 

● Correction du facteur de puissance (PFC)

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
68V	10,5 mΩ	60A