Tính khả dụng: | |
---|---|
Số lượng: | |
DHD50N06
WXDH
TO-252B
68V
60A
Chế độ tăng cường kênh N 60A 68V
1 mô tả
Các VDMOSFET tăng cường kênh N này đã sử dụng thiết kế công nghệ rãnh nâng cao, cung cấp RDSON tuyệt vời và phí cổng thấp. Phù hợp với tiêu chuẩn ROHS.
2 tính năng
● Chuyển đổi nhanh
● Điện trở thấp (Rdson≤22mΩ)
● Phí cổng thấp (TYP: 60NC)
● Công suất chuyển ngược thấp (TYP: 275pf)
● Bài kiểm tra năng lượng tuyết lở 100% 100%
● Bài kiểm tra 100% ΔVDS
3 ứng dụng
● Ứng dụng chuyển đổi nguồn
● Chuyển đổi nguồn cung cấp nguồn (SMPS)
● Cung cấp điện không gián đoạn (UPS)
● Hiệu chỉnh hệ số công suất (PFC)
VDSS | RDS (BẬT) (TYP) | NHẬN DẠNG |
68V | 10,5mΩ | 60A |
Chế độ tăng cường kênh N 60A 68V
1 mô tả
Các VDMOSFET tăng cường kênh N này đã sử dụng thiết kế công nghệ rãnh nâng cao, cung cấp RDSON tuyệt vời và phí cổng thấp. Phù hợp với tiêu chuẩn ROHS.
2 tính năng
● Chuyển đổi nhanh
● Điện trở thấp (Rdson≤22mΩ)
● Phí cổng thấp (TYP: 60NC)
● Công suất chuyển ngược thấp (TYP: 275pf)
● Bài kiểm tra năng lượng tuyết lở 100% 100%
● Bài kiểm tra 100% ΔVDS
3 ứng dụng
● Ứng dụng chuyển đổi nguồn
● Chuyển đổi nguồn cung cấp nguồn (SMPS)
● Cung cấp điện không gián đoạn (UPS)
● Hiệu chỉnh hệ số công suất (PFC)
VDSS | RDS (BẬT) (TYP) | NHẬN DẠNG |
68V | 10,5mΩ | 60A |