60A 68V Njia ya Uboreshaji wa N-channel MOSFET DHD50N06 TO-252B

60A 68V N-Chaneli ya Uboreshaji wa Njia ya Nguvu ya MOSFET

1 Maelezo 

VDMOSFET hizi Zilizoboreshwa za idhaa ya N Zilitumia muundo wa hali ya juu wa teknolojia ya mitaro, zilitoa RDSON bora na malipo ya chini ya lango. Ambayo inalingana na kiwango cha RoHS. 

2 Sifa

● Kubadilisha Haraka

● Upinzani mdogo wa ON (Rdson≤22mΩ)

● Malipo ya Lango la Chini (Aina: 60nC) 

● Uwezo wa Chini wa Uhamisho wa Kinyume (Aina: 275pF) 

● Jaribio la Nishati ya Banguko la Pulse Moja la 100%. 

● Jaribio la ΔVDS la 100%. 

3 Maombi

● Programu za kubadili nishati 

● Ugavi wa Nguvu wa Hali ya Kubadilisha (SMPS)

● Ugavi wa umeme usiokatizwa (UPS) 

● Marekebisho ya Kipengele cha Nguvu (PFC)

VDSS	RDS(imewashwa)(TYP)	ID
68V	10.5mΩ	60A