MOSFET di potenza DHD50N06 TO-252B in modalità potenziamento canale N da 60 A 68 V

MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 60 A 68 V

1 Descrizione 

Questi VDMOSFET avanzati a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia trench, fornivano un eccellente RDSON e una bassa carica di gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida

● Bassa resistenza all'attivazione (Rdson≤22mΩ)

● Carica gate bassa (tipica: 60 nC) 

● Capacità di trasferimento inverso basse (tipiche: 275pF) 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%. 

● Test ΔVDS al 100%. 

3 applicazioni

● Applicazioni di commutazione di potenza 

● Alimentatore a commutazione (SMPS)

● Gruppo di continuità (UPS) 

● Correzione del fattore di potenza (PFC)

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
68V	10,5 mΩ	60A