未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80 V 180A Špecifikácia zariadenia DH8004 (2).pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100 V 110A Špecifikácia zariadenia DHS052N10.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH850N10D (1).pdf
30A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60 V 30A Zariadenie DHZ24B31 Špecifikácia.pdf
140A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Špecifikácia zariadenia DHP035N04.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150A Zariadenie DH025N03 Špecifikácia.pdf
100A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85V 100A Zariadenie DH85N08 Špecifikácia.pdf
47A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Špecifikácia zariadenia DH135N10P.pdf
40A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
120A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Špecifikácia zariadenia DH025N03P(1)(1).pdf
49A 80V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DH116N08D TO-252B 80 V 49A Zariadenie DH116N08 Špecifikácia.pdf
50A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Špecifikácia zariadenia DH150N12.pdf
320A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH012N03 TO-220C DH012N03 TO-220C 30 V 320A Zariadenie DH012N03 Špecifikácia.pdf
30A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH081N03R DFN3*3-8 DH081N03R DFN3*3-8 30 V 30A Zariadenie DH081N03R Špecifikácia.pdf
175A 80V N-channel režim vylepšenia napájania MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E TO-263 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHF50N06 TO-220F DHF50N06 TO-220F 68V 60A Zariadenie 50N06B34 Špecifikácia.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 180A 40V DHS020N04D TO-252B DHS020N04D TO-252B 40 V 180A Špecifikácia zariadenia DHS020N04D.pdf
310A 20V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310A Zariadenie DH009N02 Špecifikácia.pdf
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07E TO-263 DHS055N07E TO-263 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com