未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 12V-300V N MOS
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

12V-300V N MOS

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
105A 68V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68V 105A Donghai+DHS055N07&DHS055N07E+DataSheet+V2.0 .pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A Donghai_DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
DSG014N04N TO-220CPobal DSG014N04N TO-220C 40 V 200A Donghai_DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A Donghai_DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
100A 70V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS043N07P DFN5X6 DHS043N07P DFN5X6 70 V 100A Donghai_DHS043N07P_Datasheet_V2.0+.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A Donghai_DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
Balenie DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A Donghai_DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 100A 85V DH050N85 / DH050N85E
180A 40V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DTG018N04N To-220C DTG018N04N TO-220C 40 V 180A DongHai DTG018N04N&DTJ018N04N Datasheet Rev.1.0 .pdf
18A 200V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH640 TO-220C DH640 TO-220C 200V 18A Špecifikácia zariadenia 640.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET B12N10/D12N10
DHS052N10P DFN5X6 DHS052N10P DFN5*6-8 100 V 99A Špecifikácia zariadenia DHS052N10P.pdf
100V/5,5mΩ/100AN-MOSFET DSD065N10L3A TO-252 DSD065N10L3A TO-252B 100 V 100A Donghai_DSD065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
81A 80V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH060N08 TO-220C DH060N08 TO-220C 80 V 81A Zariadenie DH060N08 Špecifikácia.pdf
DSE058N15NA TO-263 DSE058N15NA TO-263 150 V 150A Donghai+DSE058N15NA+DataSheet+V2.0.pdf
200A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET D1404/FD1404/ED1404
120A 85V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHS045N85 TO-220C DHS045N85 TO-220C 85V 120A Špecifikácia zariadenia DHS045N85-Rev.2.0.pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07D TO-252B DH105N07D TO-252B 68V 60A Zariadenie DH105N07 Špecifikácia.pdf
N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/ E18N20/B18N20/D18N20
70A 60V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DATP057N06N DFN5*6 DATP057N06N DFN5*6 60 V 70A Donghai_DATP057N06N_Datasheet_V1.0.pdf

Video o produkte

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty
    Odoslať
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com