未命名(1)(8) (1)
porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 12V-300V N MOS
Modeli:
Paketa:
V:
A:
LINJA E PRODUKTIT E ZGJEDHUR:

12V-300V N MOS

i imazhit Modeli Paketa V A Detajet e fletës së të dhënave Kërkim Shtoni në shportë
MOSFET me fuqi 12A 60 V të modalitetit të përmirësimit të kanaleve N D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Specifikimi i pajisjes D12N06(TO-252B).pdf
100A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS031N07P DFN5*6 DHS031N07P DFN5X6 68 V 100A Donghai_ DHS031N07P_Sheet_V2.0 .pdf
100V/2,9mΩ/190A N-MOSFET DSU035N10N3A TOLL DSU035N10N3A TOLL 100 V 190 A Donghai_DSU035N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
80A 40V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH065N04.pdf
116A 68V N-kanal i përmirësimit MOSFET i fuqisë DH070N06 TO-220C 60 V 88A Specifikimi i pajisjes DH070N06(2).pdf
100V/1,5mΩ/240A N-MOSFET DSC018N10N TO-247 DSC018N10N TO-247 100 V 240 A Donghai_DSC018N10N_Fletë e të dhënave_V1.0.pdf
85A 80V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH075N08 TO-220C DH075N08 TO-220C 80 V 95A Donghai_DH075N08&DH075N08E_Datasheet_V2.0.pdf
205A 85V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specifikimi i pajisjes DHS025N88.pdf
180A 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100 V 180 A Device+DHS035N10&DHS035N10E+Specification+Rev.1.0 (1).pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 110A 85 V Fuqia MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85 V 110A Specifikimi i pajisjes DHS055N85.pdf
60A 68V 68V-kanal N e përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHD50N06 TO-252B DHD50N06 TO-252B 68 V 60 A Specifikimi i pajisjes 50N06B34.pdf
105A 68V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68 V 95A Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Fletë të dhënash+V2.0 .pdf
80A 68V N-kanal i përmirësimit të modalitetit të fuqisë MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH072N07.pdf
238A 60V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60 V 238A Specifikimi i pajisjes DH026N06.pdf
80A 68V N-kanal i përmirësimit MOSFET me fuqi MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68 V 80 A Specifikimi i pajisjes DH072N07.pdf
100A 30V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Specifikimi i pajisjes DH033N03(1).pdf
116A 68V N-kanal i përmirësimit MOSFET i fuqisë DH070N07 TO-220C 70 V 100A Donghai_DH070N07(T0F)_Fleta e të dhënave_V1.0.pdf
96A 100V 100V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specifikimi i pajisjes DSP051N10N Rev.1.0.pdf
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 80A 60 V Fuqia MOSFET DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 112A 85 V Fuqia MOSFET DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85 V 112A Specifikimi i pajisjes DHS043N85P-Rev.1.0.pdf

Video e produktit

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin
    Paraqisni
E drejta e autorit © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Teknologjia nga leadong.com