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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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12V-300V NMOS

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MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 116 A 68 V DH070N07 TO-220C 70 V 100A DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 68 V DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A Dispositivo DH072N07 Specifiche.pdf
DH030N03
MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N da 96 A 100 V DFN5X6 DSP051N10N DFN5*6-8 100 V 96A Specifiche del dispositivo DSP051N10N Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 80 A 60 V DHS065N06P DFN5X6 DHS065N06P
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 90 V DH90N055R TO-220C DH90N055R TO-220C 90 V 120A Specifiche del dispositivo DH90N055R.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 112A 85V DHS043N85P DFN5X6 DHS043N85P DFN5*6 85 V 112A Specifiche del dispositivo DHS043N85P-Rev.1.0.pdf
200 V/11 mΩ/110 A N-MOSFET DSG108N20NA TO-220C DSG108N20NA TO-220C 200 V 110A DSG108N20NA_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 108A 85V DHS042N85P DFN5*6-8 DHS042N85P DFN5*6-8 85 V 108A DHS042N85P_Datasheet_v1.0.pdf
MOSFET N 100 V/5,2 mΩ/95 A DSP070N10L3A DFN5X6 DSP070N10L3A DFN5X6 100 V 95A DSP070N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 220 A 40 V DTE025N04NA TO-263 DTE025N04NA TO-263 40 V 220A Dispositivo DTE025N04NA&DTG025N04NA Specifiche Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 30 V DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30 V 100A Specifiche del dispositivo DH033N03(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 100 A 30 V DHP150N03 DFN5X6 DHP150N03 DFN5X6 30 V 100A Specifiche del dispositivo DHP150N03(1).pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 120 A 98 V DH90N045R TO-220C DH90N045R TO-220C 98 V 120A Dispositivo DH90N045RSM2 Specifiche.pdf
 MOSFET di potenza in modalità potenziamento a canale N 150A 150V DSG059N15NA TO-220C DSG059N15NA TO-220C 150 V 150A Specifiche dispositivo DSG059N15NA.pdf
MOSFET di potenza DSG048N08N3 TO-220C con modalità di potenziamento a canale N da 120 A 85 V DSG048N08N3 TO-220C 85 V 125A Dispositivo+DSG048N08N3+Specifiche+Rev.1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziata a canale N da 100 A 30 V 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K 30H10/30H10F/30H10E/30H10B/30H10K
MOSFET N DSD190N10L3 TO-252B da 100 V/15 mΩ/50 A DSD190N10L3 TO-252B 100 V 50A DSD190N10L3&DSB190N10L3_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 18 A 200 V D18N20 TO-252B D18N20 TO-252B 200 V 18A Dispositivo D18N20 Specifiche Rev.1.0.pdf
 MOSFET di potenza modalità potenziamento canale N 150A 150V DHS042N15 DHS042N15 TO-220C 150 V 150A DHS042N15&DHS042N15E_Datasheet_V2.0 (1).pdf

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