DHS051N10PDFN5X6

MOSFET di potenza in modalità potenziamento canale N da 108 A 100 V

1 Descrizione

Questi mosfet di potenza in modalità di potenziamento a canale N utilizzavano un design avanzato della tecnologia Splite gate, fornivano un eccellente Rdson e una bassa carica del gate. Che è conforme allo standard RoHS. 

2 Caratteristiche

● Commutazione rapida 

● Bassa resistenza

● Carica di gate bassa 

● Elevata corrente da valanga 

● Basse capacità di trasferimento inverso 

● Test energetico da valanga a impulso singolo al 100%.

● Test ΔVDS al 100%.

3 applicazioni 

● Commutazione dell'alimentazione

● Sistema di gestione della potenza dell'inverter 

● Controllo dell'utensile elettrico 

● Applicazioni elettroniche automobilistiche

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID
100 V	5,0 mΩ	108A