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DHS051N10P DFN5X6

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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108 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung

Diese Leistungs-Mosfets im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Design mit Splite-Gate-Technologie und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen 

● Schaltnetzteil

● Wechselrichter-Energieverwaltungssystem 

● Steuerung von Elektrowerkzeugen 

● Anwendungen der Automobilelektronik

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 5,0 mΩ 108A


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