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DHS051N10P DFN5X6

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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108A 100V N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test


3 Anwendungen 

● Stromversorgung wechseln

● Wechselrichter -Leistungsmanagementsystem 

● Elektrowerkzeugsteuerung 

● Anwendungen zur Kfz -Elektronik

VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 5,0 mΩ 108a


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