Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
DHS051N10P
WXDH
DHS051N10P
DFN5X6
100V
108a
108A 100V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Yüksek çığ akımı
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç kaynağını değiştirme
● İnvertör Güç Yönetim Sistemi
● Güç alet kontrolü
● Otomotiv Elektronik Uygulamaları
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 5.0mΩ | 108a |
108A 100V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET
1 Açıklama
Bu n-kanal geliştirme modu güç mosfets, mükemmel RDSON ve düşük kapı şarjı sağladı. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Yüksek çığ akımı
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Güç kaynağını değiştirme
● İnvertör Güç Yönetim Sistemi
● Güç alet kontrolü
● Otomotiv Elektronik Uygulamaları
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 5.0mΩ | 108a |