Доступность: | |
---|---|
количество: | |
DHS051N10P
WXDH
DHS051N10P
DFN5X6
100 В
108а
108A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET
1 Описание
В этом N-канальном режиме режима режима мощных силовых средств использовались расширенные конструкции технологии Splite Gate, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Высокий лавинный ток
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Переключение источника питания
● Система управления питанием инвертора
● Управление энергетикой
● Приложения для автомобильной электроники
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
100 В | 5,0 МОм | 108а |
108A 100 В n-канальный режим улучшения MOSFET MOSFET
1 Описание
В этом N-канальном режиме режима режима мощных силовых средств использовались расширенные конструкции технологии Splite Gate, обеспечивающие отличный RDSON и низкий заряд. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Низкое сопротивление
● Зарядки с низким затвором
● Высокий лавинный ток
● Низкие емкости обратного переноса
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Переключение источника питания
● Система управления питанием инвертора
● Управление энергетикой
● Приложения для автомобильной электроники
VDSS | RDS (ON) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
100 В | 5,0 МОм | 108а |