DHS051N10P DFN5X6

108A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET

1 Опис

Ці потужні MOSFET з N-канальним режимом покращення використовували передову конструкцію технології Splite Gate, що забезпечувало чудовий Rdson і низький заряд затвора. Що відповідає стандарту RoHS. 

2 Особливості

● Швидке перемикання 

● Низький опір

● Низький заряд затвора 

● Високий лавинний струм 

● Низькі ємності зворотного перенесення 

● 100% одноімпульсне тестування енергії лавини

● 100% тест ΔVDS

3 Додатки 

● Імпульсне джерело живлення

● Інверторна система керування живленням 

● Керування електроінструментом 

● Застосування автомобільної електроніки

VDSS	RDS(увімкнено)(TYP)	ID
100В	5,0 мОм	108A