DHS051N10P DFN5X6

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 108A y 100 V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de puerta Splite, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido 

● Baja resistencia

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Fuente de alimentación conmutada

● Sistema de gestión de energía del inversor. 

● Control de herramientas eléctricas 

● Aplicaciones de electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	5,0 mΩ	108A